2024年8月12日上午9時30分，應我院徐明教授的邀請，吉林大學李賢斌教授做客“喻園·育芯”講壇。在光電信息大樓D754會議室為我校師生帶來題為《相變信息存儲器的半導體材料物理研究》的相關報告。我校6774澳门永利院長缪向水教授、楊蕊教授等參加了此次講座。
李賢斌教授首先介紹了相變存儲器（Phase-change Memory，PCM）的概念，這是一種利用PCM材料的非晶相與晶相之間的快速可逆轉變來實現非易失性信号存儲的技術，目前的主要商業應用包括存儲集成電路和數據光盤，除此之外，PCM技術在内存計算、人工神經形态系統、全光片上存儲及計算等新興領域展現出巨大潛力。
接下來，李賢斌教授介紹了過去十年時間内在該領域内深耕的諸多優秀成果。首先介紹了一種基于“過渡元素牢靠釘紮中心”思路設計高速、低功耗PCM材料的策略，在相變材料中摻雜少量過渡元素，該元素非晶與晶态下相似的結構特征，使其可以作為晶核，顯著加速PCM材料的晶化速度，降低不同狀态之間切換的功耗，這一思想對領域内的其他摻雜研究影響深遠；第二，介紹了當前國際上最大規模PCM材料高通量計算篩選研究；第三，介紹探索相變材料存儲過程新機理的進展，總結了以往國内外對這一争議的關注點，并提出新的思路以及證明方式，通過大規模神經網絡拟合勢函數模拟，探究存儲過程中是否存在融化這一關鍵問題；第四部分深入探讨了縮微極限下相變存儲材料工作可行性問題，提出理論上的極限縮微方案，即單層Sb2Te3既能滿足功能性要求又能保證0.8nm的縮微尺寸。
本次講座結束後，李賢斌教授與徐明、楊蕊教授以及同學們就講座相關問題進行了深入的交流和探讨。 通過本次講座，同學們對相變信息存儲器的半導體材料物理有了更加深入的了解，李賢斌教授介紹的各類成果對低功耗相變信息存儲器及其存儲電路開發具有重要的指導意義。
報告人介紹：
李賢斌，吉林大學教授，教育部特聘人才計劃。長期從事相變信息存儲及光電器件中關鍵半導體物理問題研究，特别針對相變存儲器速度提升與功耗降低等關鍵問題，基于電子結構計算方法，在半導體的原子結構、電子态的設計與調控方面取得了多項創新成果。曾在Phys. Rev. Lett、Nature Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.等學術期刊發表第一/通訊作者論文。曾獲國際半導體物理大會、IEEE國際固态集成電路技術會議、華為未來之光論壇、美國材料學會相變存儲論壇、國際玻璃協會年度會議、中德電子存儲材料雙邊學術論壇等重要學術會議邀請報告40餘次。主持國家科技重大專項課題、基金委優青項目等。曾獲第16屆吉林省青年科技獎、2018年教育部青年學者、2023年度教育部特聘教授等榮譽。任全國光學青年學術論壇主席團副主席、全國電子信息青年科學家論壇（第四屆半導體青年學術會議）半導體基礎物理方向召集人等學術兼職。
