姓名：缪向水
職稱：教授（教育部“長江學者”特聘教授、國務院享受政府特殊津貼專家）
專業方向：信息存儲材料及器件
個人簡介：
6774澳门永利院長、武漢國際微電子學院院長、武漢光電國家研究中心微納電子學方向召集人、信息存儲材料及器件研究所所長、蔡少棠憶阻器研究中心主任；
6774澳门永利校學術委員會委員、市政府第八屆決策咨詢委員會委員、湖北省集成電路産業發展專家咨詢委員會副主任；
國家先進存儲産業創新中心首席科學家、湖北江城實驗室副主任兼首席科學家、先進存儲器湖北省重點實驗室主任、湖北省微電子工程研究中心主任、湖北省薄膜材料檢測技術工程實驗室技術委員會主任、6774澳门永利-長江存儲聯合實驗室主任、6774澳门永利-華為聯合實驗室主任。
學習工作經曆：
1982年至1986年華中工學院（現6774澳门永利）電子材料與元器件專業本科生；
1986年至1989年華中理工大學（現6774澳门永利）電子材料與元件專業碩士研究生；
1994年至1996年華中理工大學（現6774澳门永利）電子材料與元器件專業博士研究生；
1989年至1996年任華中理工大學（現6774澳门永利）助教、講師、副教授；
1996年至1997年任香港城市大學副研究員、研究員；
1997年至2007年任新加坡國立大學/國家數據存儲研究院首席研究工程師、4級科學家；
2007年至現在任6774澳门永利教授、博士生導師。
學術兼職：
中國存儲器産業聯盟副理事長、中國半導體三維集成制造産業聯盟副理事長、中國儀表功能材料學會副理事長、中國微米納米技術學會常務理事、中國真空學會薄膜專委會副主任委員。
學科專業：
(1)電子科學與技術專業/集成電路與集成系統方向或微電子技術方向（學術學位）；
(2)集成電路工程專業或新一代電子信息技術專業(專業學位）
(3)集成電路科學與工程專業/先進存儲器方向（學術學位）
(4)人工智能專業/認知計算與類腦智能方向（學術學位）
聯系方式：
電話：027-87792091
Email: miaoxs@ hust.edu.cn
辦公地點：6774澳门永利光電信息大樓D732
主要成果：
主要從事三維相變存儲器、憶阻器、類腦智能計算與邏輯運算等信息存儲材料及器件方向的研究。近年來主持承擔了國家重點研發計劃項目、國家02重大專項課題、國家863重大項目課題、863面上項目、國家國際科技合作項目、國家自然科學基金項目等科研項目。已發表論文300餘篇，獲得美國發明專利授權8項，授權中國發明專利135項。
科研獲獎：
(1)“薄膜材料熱特性測試技術及儀器”,湖北省技術發明一等獎，2020年
（2）“Superlattice-like rewritable phase-change optical media”, National Technology Award(Singapore)新加坡國家技術獎(年度唯一)，2004年
（3）“加固光盤技術研究”，國家科技進步獎，1998年
（4）“寬溫光記錄材料工藝研究”，國家科技進步獎，1992年
代表性著作和論文（2018-2021）：
（1）《憶阻器導論》，缪向水等，2018年，科學出版社
（2）2D materials-based homogeneous transistor-memory architecture for neuromorphic hardware, Science, DOI: 10.1126/science.abg3161，2021
（3）Forming-free and Annealing-free V/VOx/HfWOx/Pt Device Exhibiting Reconfigurable Threshold and Resistive switching with high speed and high endurance，Oral presentation，IEDM International Electron Devices Meeting，2021
（4）Complementary Graphene-Ferroelectric Transistors as Synapses with Modulatable Plasticity for Supervised Learning，Oral presentation，IEDM International Electron Devices Meeting，2019
（5）Recent advances on neuromorphic devices based on chalcogenide phase-change materials，Advanced Functional Materials，30, 2003419, 2020
（6）Functional Demonstration of a Memristive Arithmetic Logic Unit (MemALU) for In‐Memory Computing, Advanced Functional Materials,29,1905660，2019
（7）Synaptic Suppression Triplet-STDP Learning Rule Realized in Second-Order Memristors, Advanced Functional Materials, 28, 1704455，2018
（8）Recent progress on memristive convolutional neural networks for edge intelligence, Advanced Intelligent Systems，2, 2000114 , 2020
（9）Effects of Temperature on the Performance of HfZrO Based Negative Capacitance FETs, IEEE Electron Device Letters, 41, 1625, 2020
（10）Low-Power Artificial Neurons Based on Ag/TiN/HfAlOx/Pt Threshold Switching Memristor for Neuromorphic Computing，IEEE Electron Device Letters, 41, 1245, 2020
（11）Forming-free, fast, uniform, and high endurance resistive switching from cryogenic to high temperatures in W/AlOx/Al2O3/Pt bilayer memristor，IEEE Electron Device Letters，41，549，2020
（12）High-Precision Symmetric weight update of memristor by gate voltage ramping method for convolutional neural network accelerator，IEEE Electron Device Letters, 41, 353, 2020
（13）Ultra-low Program Current and Multilevel Phase Change Memory for High Density Storage Achieved by a Low Current SET Pre-operation, IEEE Electron Device Letters, 40, 1595, 2019.
（14）Coexistence of digital and analog resistive switching with low operation voltage in oxygen-gradient HfOx memristors, IEEE Electron Device Letters，40, 1068，2019
（15）Composition-Dependent Ferroelectric Properties in Sputtered HfXZr1−XO2 Thin Films, IEEE Electron Device Letters，40, 570，2019
（16）LiSiOX-Based Analog Memristive Synapse for Neuromorphic Computing, IEEE Electron Device Letters, 40, 542, 2019
（17）Reconfigurable Boolean Logic in Memristive Crossbar: The Principle and Implementation, IEEE Electron Device Letters, 40 , 200, 2019
（18）Reducing Forming Voltage by Applying Bipolar Incremental Step Pulse Programming in a 1T1R Structure Resistance Random Access Memory，IEEE Electron Device Letters，39, 815，2018
（19）Dual-Layer Selector With Excellent Performance for Cross-Point Memory Applications, IEEE Electron Device Letters，39, 496，2018
（20）Memcomputing: fusion of memory and computing, SCIENCE CHINA Information Sciences, 61, 060424，2018
授權中國發明專利135項，授權美國專利8項
缪向水、童浩、程曉敏, MULTI-LAYER PHASE CHANGE MATERIALS, 2017.1.10,美國，US 9543510
缪向水、李祎、鐘應鵬，NON-VOLATILE LOGIC DEVICE BASED ON PHASE-CHANGE MAGNETIC MATERIALS AND LOGIC OPERATION METHOD THEREOF，2017.1.10，美國，US 9543955
缪向水、李祎、鐘應鵬、許磊，ASSOCIATIVE MEMORY CIRCUIT，2017.2.7，美國，US 9564218
缪向水、李祎、鐘應鵬、許磊、孫華軍、程曉敏，NONVOLATILE LOGIC GATE CIRCUIT BASED ON PHASE CHANGE MEMORY，2016.6.14，美國，US 9369130
缪向水、周亞雄、李祎、孫華軍，NON-VOLATILE BOOLEAN LOGIC OPERATION CIRCUIT AND OPERATION METHOD THEREOF，2016.10.28，美國，US 9473137
缪向水、李祎、鐘應鵬、許磊、孫華軍、徐小華，JOINT SHORT-TIME AND LONG-TIME STORAGE DEVICE AND STORAGE METHOD THEREOF，2016.8.16，美國，US 9418733
劉群、張濤、缪向水、李祎、周亞雄，Memristor-based processor integrating computing and memory and method for using the processor，2018.07.10，美國，US10020054
缪向水、童浩、馬立樊,Phase-change memory cell with vanadium oxide based switching layer，2021.07.06，美國，US11056644
