教授-研究員
鄭志平

來源: 時間:2018-03-21 點擊量:



姓名:鄭志平

職稱:教授、博士生導師

實驗室:教育部敏感陶瓷工程研究中心

郵箱:zzp@mail.hust.edu.cn

電話:027-87545167

辦公地點:西七樓北樓404

教育及工作經曆:

1987.9-1991.6年華中理工大學固體電子學系本科

1991.7-1997.9武漢高理電子電器有限公司工作

1999.9-2002.6年6774澳门永利電子科學與技術系碩士

2002.9-2005.6年6774澳门永利電子科學與技術系博士

2005.11-至今6774澳门永利光學與電子信息學院講師/副教授/教授

2011.12-2012.12澳大利亞新南威爾士大學光伏研究中心訪問學者

主講課程:

固體物理(本科生專業基礎課);陶瓷電子學(研究生)

主要研究方向:

鈣钛礦半導體單晶材料與探測器件;信息功能陶瓷材料及其傳感器

主要科研項目:

[1]國家自然科學基金面上項目:高能射線探測用新型三元化合物半導體CsPbBr3單晶的垂直溫度梯度凝固法生長及其特性研究,主持.

[2]國家自然科學基金面上項目:大尺寸TlBr單晶生長及其室溫核輻射探測器的制備技術研究,主持.

[3]國家自然科學基金面上項目:籽晶垂直溫度梯度凝固法制備高性能射線探測用溴化铊單晶及其特性研究,主持.

[4]教育部博士點基金新教師課題:垂直溫度梯度凝固法制備TlBr半導體單晶及其室溫核輻射探測器研究,主持.

[5]863計劃:高溫耐蝕巨磁緻伸縮材料與低溫共燒多功能敏感陶瓷元件研發及應用,參與.

[6]863計劃目标導向項目:片式熱敏材料及熱敏電阻元件制備技術,參與.

[7]國家自然科學基金:納米晶氧化錫異質結的有序生長與氣敏效應研究,參與.

[8]國家自然科學基金面上項目:高能X、伽馬射線探測用高純TlBr半導體單晶及其傳感器制備技術研究,參與.

[9]企業合作課題:專利實施許可“一種耐高溫抗氧化無鉛鎳導體漿料及其制備方法”,主持.

[10]企業合作課題:專利實施許可“一種鎳基導電漿料的制備方法”,主持.

科研獎勵:

[1]傅邱雲,周東祥,龔樹萍,胡雲香,鄭志平,羅為,劉歡,趙俊,付明,包漢青,邱傳貢,電子學會,2015年電子學會科技進步獎一等獎。

[2]周東祥,傅邱雲,胡雲香,龔樹萍,劉歡,鄭志平,湖北省人民政府,2010年湖北省技術發明一等獎。

第一作者及通訊作者代表性論文:

[1]Mingzhi Zhang,Zhiping Zheng*, Qiuyun Fu, Zheng Chen, Jianle He, Sen Zhang, Cheng Chen, Wei Luo. Synthesis and single crystal growth of perovskite semiconductor CsPbBr3. Journal of Crystal Growth, 2018, 484: 37–42

[2]Mingzhi Zhang,Zhiping Zheng*,Zheng Chen,Sen Zhang,Wei Luo, Qiuyun Fu. Large-size TlBr single crystal growth and defect study. Journal of Crystal Growth, 2018, 487: 8–11

[3]Mingzhi Zhang,Zhiping Zheng*, Qiuyun Fu, Zheng Chen, Jianle He, Sen Zhang, Liang Yan, Yunxiang Hu and Wei Luo. Growth and characterization of the all-inorganic lead halide perovskite semiconductor CsPbBr3single crystals. CrystEngComm, 2017, 19(45): 6797-6803.

[4]Qiuyun Fu, Tao Chen, Xiaojian Ye, Pengyuan Chen, Yang Liu, Chao Gao, Yunxiang Hu,Zhiping Zheng,Dongxiang Zhou. ZnO varistor ceramics prepared by the reduction–reoxidation method. Journal of the European Ceramic Society 35 (2015) 3025–3031

[5]Qiuyun Fu, Fei Xue,Zhiping Zheng, Dongxiang Zhou, Ling Zhou, Yahui Tian, Yunxiang Hu. Magnetocapacitance and structure properties of Bi0.85-xLa0.15PbxFeO3ceramics. Ceramics International41(3)(2015)4050-4055

[6]Zhiping Zheng, Yu Yongtao, Zhou Dongxiang, Gong Shuping, Fu Qiuyun. Research on thermal annealing and properties of TlBr detector crystals. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 741(2014)104-107

[7]Zhiping Zheng, Yongtao Yu, Shuping Gong, Qiuyun Fu, Dongxiang Zhou. On thermal conditions and properties of thallium bromide single crystals grown by the Electro Dynamic Gradient method. Journal of Crystal Growth 371(2013) 90–93

[8]Zhiping Zheng, Fang Meng, Shuping Gong, Lin Quan, Jing Wang, Dongxiang Zhou. An effective method for thallium bromide purification and research crystal properties. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 676 (2012) 26–31

[9]Zhiping Zheng,Jing Wang, Lin Quan, Shuping Gong, Dongxiang Zhou. Study on TlBr Single Crystal Growth using improved Electro Dynamic. Advanced Materials Research 415-417 (2012) 1979-1982

代表性專利:

[1]傅邱雲,張明智,鄭志平,周東祥,胡雲香,羅為,張森.一種溴鉛铯粉體制備方法.中國發明專利授權号:ZL201510922762.1.

[2]周東祥,鄭志平,龔樹萍,蒙芳,胡雲香.一種去除溴化铊材料中基體元素铊的方法. ZL200910273200.3.

[3]Qiuyun Fu,Dongxiang Zhou,Yunxiang Hu,Zhiping Zheng,Wei Luo,Tao Chen,ZnO multiplayer chip varistor with base metal inner electrodes and preparation method thereof,2016,美國,US9236170B2

[4]Qiuyun Fu,Dongxiang Zhou,Yunxiang Hu,Zhiping Zheng,Wei Luo,Tao Chen,Laminated chip composite resistor combining thermistor and varistor and preparation method thereof,2015,美國,US9159477B2

招生意向:

熱烈歡迎具有電子、物理和材料相關背景的學生加入攻讀碩士和博士學位。

上一篇:吳國安
聯系我們

地址:湖北省武漢市珞喻路1037号 6774澳门永利光電信息大樓A323

電話:027-87542594

院長信箱:IC_DI@hust.edu.cn

Copyright © 版權所有  6774永利(澳门)有限公司-Baidu百科
Baidu
sogou