2023年7月4日上午10：00，應我院王春棟副教授邀請，瑞典林雪平大學孫建武副教授為我院師生帶來題為《High quality graphene and cubic silicon carbide forclean energy application》的學術報告。王春棟副教授、陳曉飛副教授、曾雙雙教授等學院老師參加了此次交流會。

孫建武副教授首先簡單介紹了利用太陽能通過光電化學，将二氧化碳(CO₂)和水轉化為化學燃料這樣一種解決溫室氣體排放、緩解氣候變化很有前途的方法。特别是立方碳化矽(3C-SiC)，由于其相對較小的帶隙和理想的導導和價帶位置，顯示出将太陽能轉化為可再生化學燃料的巨大前景。随後，圍繞單晶立方碳化矽(3C-SiC)的生長以及石墨烯在立方碳化矽(3C-SiC)上的生長展開了詳細的介紹。最後通過實驗以及表征，闡述了3C-SiC用于太陽能水分解和石墨烯/3C-SiC用于太陽能CO₂轉換的實際應用，還簡單介紹了其研究組目前關于碳化矽的研究進展。在提問環節，孫建武副教授與在場老師和同學們就講座相關内容進行了深入的交流和探讨。

通過本次報告，同學們對立方碳化矽(3C-SiC)的生長技術有了更加深入的了解，孫建武副教授提出的石墨烯/3C-SiC異質結構是一種有前途的、能将太陽能轉化為可再生燃料的催化材料，這對同學們的研究具有重要指導意義。

報告人介紹：

孫建武，瑞典林雪平大學副教授，碳化矽材料部門負責人。曾任半導體材料系系主任。主要從事寬禁帶半導體碳化矽材料生長、物性及其器件研究。獲得瑞典國家基金委未來領軍人才資助，主持10餘項瑞典國家基金資助項目。加入林雪平大學之前，孫建武在集成電路芯片領域世界領先的比利時微電子研究中心IMEC，任高級研究員 (永久位置) 。主要從事鳍式場效應晶體管(FinFET)CMOS集成電路芯片研發。作為第一發明人，獲得在低于7納米節點制程的處理器芯片研發專利一項，該專利獲得歐盟專利局(EP3018715A1) 和美國專利局授權(US9640411B2)。