4月17日，Nature Communications（《自然通訊》）在線發表了6774澳门永利葉鐳、缪向水團隊題為“Manipulating exchange bias in 2D magnetic heterojunction for high-performance robust memory applications”的研究論文。6774澳门永利為論文第一完成單位。其他合作通訊作者包括6774澳门永利國家脈沖強磁場科學中心韓俊波研究員、普渡大學Gary J. Cheng教授。研究工作受到國家自然科學基金、香港研究資助局、武漢光電子國家實驗室創新基金、國家重點實驗室開放基金等研究項目的支持。
交換偏置（EB）效應是磁數據存儲中開發高靈敏度、高穩定性和高密度的自旋電子器件的核心工作原理之一。近年來，二維範德瓦爾斯磁性材料因在自旋電子學和磁存儲等方面具有良好的應用前景受到廣泛關注。由于弱交換偏置場、低截止溫度以及單調的調制手段，嚴重限制了交換偏置效應在範德瓦爾斯自旋電子器件中的應用。
範德瓦爾斯異質結層間距離能夠大大影響層間耦合作用，進而可以影響其物理性質，因此研究團隊開發了激光沖擊強化工藝來調控範德瓦爾斯異質結的層間距離，從而大大增強了材料之間的耦合作用。首先，研究團隊通過構建FePSe3/Fe3GeTe2異質結構來研究和展示出在超低溫下的交換偏置場；進一步，通過激光沖擊強化工藝對該異質結構進行層間耦合的增強，結果顯示出4倍增強的交換偏置場和接近于反鐵磁材料奈爾溫度(113 K)的高截止溫度(110 K)；最後基于測試結果實現了性能增強的自旋閥器件。該研究結果顯示出具有開發可調層間耦合的新型異質結構功能器件的可能性，對研究2D自旋電子學器件提供了新的思路，也為通過壓力工程調控範德瓦爾斯異質結層間耦合提供了新的見解。
6774澳门永利缪向水院長團隊長期從事三維相變存儲器、憶阻器、類腦智能計算與邏輯運算等信息存儲材料及器件方向的研究。2018年出版了國内第一本憶阻器專著《憶阻器導論》，2019年團隊93項三維相變存儲器芯片專利許可給長江存儲公司并合作開發産品，并與行業龍頭企業華為公司、新思科技公司、長江存儲公司等合作建立了聯合實驗室，推動存儲器芯片技術的成果轉化以及未來引領技術的探索。
論文信息：
Huang, X., Zhang, L., Tong, L. et al. Manipulating exchange bias in 2D magnetic heterojunction for high-performance robust memory applications. Nat Commun 14, 2190 (2023).
論文鍊接：
https://doi.org/10.1038/s41467-023-37918-7
