2024年1月22日下午15:00，由我院主辦的“喻園·育芯”講壇第55期在光電信息大樓C677會議室順利舉行。本次講壇邀請了中國工程物理研究院吳衛東研究員作題為《絕緣介質及薄膜電測方法——在輻緻損傷中的應用》的報告。講壇由李康華副研究員主持。

絕緣電介質及薄膜的電測試方法對于電子器件至關重要，尤其是在輻射環境中，絕緣電介質的性能會發生顯著的變化。本次報告中，吳衛東研究員以摻镱二氧化矽(Yb-SiO₂)和CMOS器件中的SiO₂絕緣層為例，讨論了如何采用電測量方法分析輻照後絕緣介質及薄膜的輻緻損傷特性。通過理論與實驗分析，給出了小尺度絕緣介質輻緻損傷的評估方法，并指出該方法用于器件壽命和可靠性評估及機理研究和應用的可行性。

在互動交流環節，吳衛東與現場師生在太赫茲波應用的現狀、電測試分析對實驗的指導作用，國内外電測試分析的發展等方面進行了深入的探讨。此次講壇為同學們提供了研究思路，開拓了科學思維，同學們紛紛表示獲益匪淺。

報告人介紹：

吳衛東，研究員，博導，中國工程物理研究院激光聚變研究中心科技委專職委員，中國工程物理研究院激光聚變研究中心薄膜物理學術帶頭人。中國材科研究會極端條件下材料與器件分會副主任委員兼秘書長。長期從事薄膜材料與率導體功能器件研究。獲軍隊級科技進步一等獎1項，二等獎2項，三等獎4項，獲得省部級科技進步二、三等獎十多項，以第一作者和通訊作者的身份發表SCI論文100餘篇，獲批發明專利30項。曾承擔和參加了多項國家重大專項、國防預先研究課題、國家863高技術課題、科技部重大僅器專項、中國工程物理研究院科學發展基金和國家自然基金等多項科研項目，某國家項目子項。現任某重大項目總體組成員和下一級課題首席專家。當前主要從事光電子學材料與器件輻照效應方面工作。